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1 cassete de 100 mm n tipo de silício de grau primordial , ssp, 1-10 ohm-cm

1 cassete de 100 mm n tipo de silício de grau primordial , ssp, 1-10 ohm-cm

€ 190.98
Figura do produto

1 Cassete (Qtd : Método de crescimento da bolacha de silício de cristal único : MCZ Orientação : Diâmetro : 100 mm +/- 0,5 mm de espessura : 525 um +/- 20 um (ssp) orientação plana primária : +/- 1 grau de comprimento plano primário : 32,5 +/- 2,5 mm Orientação plana secundária : 90 graus a partir do comprimento plano secundário plano primário : 18,0 +/- 2,0 mm Tipo/ dopante : N/ Fósforo Coeficiente de expansão térmica : 2,6 · 10-6 ° C -1 Resistividade elétrica : 1 -10 ohm-cm RRV : 8% (6mm) Conteúdo do oxigênio : 1,6 x 10^18 átomos/ cm3 Conteúdo do carbono : 0,5 ppm GBIR/ TTV : 5 µm Warp : 30 µm de arco : 30 µm de superfície frontal : CMP Polido, RA < Pacote de 0,5 nm (Polido Lateral Único, SSP) : embalado em um ambiente de sala limpo da classe 100, em cassetes de 25 bolachas.

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