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10 x 10 x 0,5 mm P Tipo de silício Prime Geral Substrato , SSP, 10-20 ohm-cm

10 x 10 x 0,5 mm P Tipo de silício Prime Geral Substrato , SSP, 10-20 ohm-cm

€ 1.00
Figura do produto

10 x 10 x 0,5 mm P (dopado B) Wafer de silício de grau Prime de grau Prime , 10-20 ohm-cm, produto lateral único Sk U# : WA0808 Especificações do produto Material : Método de crescimento do substrato de silício de cristal de cristal único : Orientação MCZ : Dimensão : 10 x 10 mm +/- 0,1 mm de espessura : 525 um +/- 20 um (ssp) tipo/ dopante : coeficiente de expansão térmica de p/ boro Resistividade : 10-20 ohm-cm Oxigênio Conteúdo : 1,6 x 10^18 átomos/cm3 Conteúdo do carbono : 0,5 ppm Superfície frontal : CMP Polished, RA

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